【#成本降至 1%！西电科研团队突破短波红外探测核心技术#】
4 月 7 日，西安电子科技大学胡辉勇教授团队宣布，成功研制基于硅锗工艺的单光子雪崩二极管芯片，实现短波红外探测重大突破。
传统铟镓砷芯片单颗高达数百至数千美元，而硅锗芯片成本仅为其 1%，可大幅降低造价。该技术可穿透雾霾、黑夜成像，广泛应用于智能手机暗光拍照、车载激光雷达、智能驾驶、工业检测等百亿级市场。
团队攻克原子错位等关键难题，打通全流程自主研发闭环，专用流片线预计2026 年底投产，将推动高端感知技术走进千行百业。（来源：http://t.cn/AXMyp5eN）
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