【英特尔推出全球最薄氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米】英特尔近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，成功打造出全球最薄的氮化镓芯片。该公司已将硅衬底厚度缩减至19微米（μm），相当于人类头发直径的五分之一，标志着半导体设计领域的重大飞跃。
发布于 浙江
快科技官方 26-04-15 00:31
【英特尔推出全球最薄氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米】英特尔近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，成功打造出全球最薄的氮化镓芯片。该公司已将硅衬底厚度缩减至19微米（μm），相当于人类头发直径的五分之一，标志着半导体设计领域的重大飞跃。