#成电快讯# 近期，光电科学与工程学院光电探测与传感集成技术团队在非制冷PbSe中波红外探测领域取得重要进展，相关成果相继发表于《Laser & Photonics Reviews》（2篇）、《ACS Photonics》《Advanced Optical Materials》及《Vacuum》等国际权威期刊。
中波红外探测技术具有重要应用价值，现阶段中波红外探测器件均为制冷型器件，价格昂贵、体积功耗大。在非制冷中波红外探测中，PbSe薄膜因具备较低的俄歇复合系数，在室温下展现出优异的中波红外探测性能。然而，当前PbSe材料的制备与敏化工艺仍面临多重技术瓶颈，主要包括：薄膜结晶质量差、晶界结构无序、敏化机制不明确、与CMOS工艺兼容性差，以及小尺寸探测像元性能偏低等问题，难以满足高性能焦平面器件的应用需求。以西班牙NIT公司为例，其早在十余年前便推出了128×128像素、单元尺寸为50μm×50μm的非制冷PbSe红外焦平面器件，但至今仍未见更大规模、小像元高性能非制冷中波红外焦平面探测器商用产品的相关报道。
针对上述技术挑战，研究团队围绕CMOS兼容的高质量PbSe光敏薄膜制备、PbSe晶界调控方法、新型载流子光热器件结构、高效率超表面探测结构，以及PbSe薄膜掺杂提升性能等方向，开展了一系列系统深入的研究。