光刻胶：芯片制造的“底片”

光刻胶是光刻工艺的核心耗材，占晶圆制造成本1/3、耗时近50%。它的好坏直接决定5nm、3nm能否量产。

全球格局：日本企业垄断高端市场（ArF、EUV），国内高端光刻胶自给率不足1%，整体半导体材料国产化率仅15%。

最新催化剂：因中东冲突影响霍尔木兹海峡，日本石脑油供应中断，导致光刻胶关键原料PGME/PGMEA断供。三星、SK海力士已收到通知，国产替代窗口被进一步打开。2026年中国光刻胶国产化率已升至23%，日企全球份额从83%降至64%。

六只核心标的

1. 彤程新材（603650）：ArF通过14nm验证，KrF国内龙头，全产业链布局，供应链转移最大受益者。
2. 鼎龙股份（300054）：CMP抛光垫龙头，300吨高端光刻胶量产线已投产，含配套辅材，客户复用快。
3. 南大光电（300346）：28nm ArF光刻胶量产，6款产品通过验证，技术壁垒最高。
4. 上海新阳（300236）：KrF批量出货，ArF验证中，EUV同步研发，产品线最全。
5. 恒坤新材（未上市）：SOC材料国内市占率超10%，配套光刻工艺，上市后重点关注。
6. 聚和材料（688503）：光伏银浆跨界，空白掩模版（国产化率0%）已量产出货，光刻胶团队已搭建。

风险

· 晶圆厂验证周期长（2-3年），业绩释放慢。
· 日美企业可能降价打压。
· 上游树脂等核心原料尚未完全自主。

核心结论：日本断供+国产突破，光刻胶正迎来系统性替代窗口，但需区分概念与实质放量。