随着AI数据中心建设浪潮持续推升光通信需求，技术升级迭代趋势与产业扩产潮势必将带动上游核心材料的需求，在上游材料中看好磷化铟（InP）衬底与薄膜铌酸锂两个方向：其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。