【三星与SK海力士开启第七代DRAM(1d)架构之争】三星主推GAAFET工艺，采用16层垂直堆叠并借鉴NAND设计；SK海力士则押注4F²架构，垂直堆叠晶体管可减小30%芯片面积。两巨头均目标3年内量产，力争主导下一代行业标准。DRAM正从传统结构向垂直架构加速转型。
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【三星与SK海力士开启第七代DRAM(1d)架构之争】三星主推GAAFET工艺，采用16层垂直堆叠并借鉴NAND设计；SK海力士则押注4F²架构，垂直堆叠晶体管可减小30%芯片面积。两巨头均目标3年内量产，力争主导下一代行业标准。DRAM正从传统结构向垂直架构加速转型。