半导体硅片行业深度梳理：二季度海外涨价周期开启，国内有望同步量价齐升

前言
结合行业供需关系、能源成本、AI算力爆发带来的增量需求综合判断，2026年第二季度大概率成为海外12英寸半导体硅片的涨价拐点，价格上涨将传导至国内市场，推动国内硅片行业开启新一轮量价齐升行情。

一、硅片基础分类

硅在地壳元素中含量排名第二，凭借优良的半导体特性、热稳定性与机械加工性能，是集成电路与光伏电池的核心基材，主要分为两大类：

1. 半导体硅片（晶圆）：纯度达到9N‑11N，是芯片制造的基底材料，为光刻、蚀刻等后续芯片制程提供载体，用于构建晶体管与电路。

2. 光伏硅片：纯度为5N‑6N，作为光伏电池片基材，在晶体缺陷容忍度、表面精度等指标上，标准低于半导体硅片。

二、半导体硅片细分类型

2.1 按尺寸划分

硅片尺寸越大，单片可产出的芯片数量越多，单位芯片生产成本越低，行业整体呈现大尺寸升级趋势。

• 12英寸：全球市场占比75%，主要用于CPU、GPU等逻辑芯片，以及DRAM、NAND Flash等存储芯片。

• 8英寸：全球市场占比20%，多用于成熟制程领域，覆盖MCU、模拟芯片、功率器件。

• 6英寸：全球市场占比5%，主要应用于二极管、晶闸管等分立器件。

2.2 按加工工序划分

• 抛光片：行业基础产品，经切割、研磨、抛光制成，其余高端硅片均以抛光片为基础二次加工。

• 退火片：抛光片经高温退火处理，减少晶格缺陷、提升表面平整度，适配先进制程芯片。

• 外延片：在抛光片表面沉积单晶硅层，可精准控制电阻率，多用于CIS图像传感器、功率器件。

• SOI硅片：采用硅‑绝缘层‑硅三层结构，绝缘性能优异，适配射频器件、汽车电子等场景。

2.3 按掺杂类型划分

• 轻掺硅片：掺杂浓度低、电阻率高、晶格缺陷少，适配先进制程逻辑芯片与存储芯片。

• 重掺硅片：掺杂浓度高、电阻率低，主要用于功率器件、模拟芯片。

三、硅片制备工艺与行业竞争格局

3.1 核心制备流程

高纯多晶硅制备→单晶拉制（直拉法/区熔法）→晶棒截断与滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→检测封装。

3.2 行业核心特征

1. 重资产、扩产周期长：单条产线投资规模达数十亿元，产能建设周期18‑24个月。

2. 技术壁垒极高：对硅片平整度、缺陷密度要求接近物理极限，产品认证周期漫长，客户绑定粘性强。

3. 强周期属性：行业景气度跟随下游晶圆厂扩产节奏波动，供需错配极易引发价格大幅涨跌。

4. 海外寡头垄断：信越化学、SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SK Siltron五大国际巨头，合计占据全球90%以上市场份额。

3.3 国内主要企业及布局

• 沪硅产业：国内12英寸半导体硅片龙头，覆盖轻掺、重掺全品类产品，已进入全球头部晶圆厂供应链。

• 立昂微：国内重掺硅片龙头，布局6–12英寸抛光片、外延片全系列产品。

• 有研硅：主营半导体抛光片、刻蚀设备硅部件、区熔硅片，通过收购DGT，实现从硅材料到硅零部件的业务延伸。

• 西安奕材：国内SOI硅片龙头，产品涵盖12英寸外延片、抛光片、测试片。

• 上海合晶：聚焦低阻重掺硅片，8英寸重掺抛光片国内领先，深度服务功率器件、模拟芯片赛道。