台湾 IntelliEPI 警告磷化铟供应严重短缺
然而，在这些亮眼成绩的背后，全球磷化铟（InP）衬底的短缺正成为一道无形的天花板，限制着出货量的进一步增长。

高（Kao）直言不讳地表示：“磷化铟衬底短缺是整个 AI 基础设施的瓶颈，我们预计这一问题在一两年内无法得到解决。”

磷化铟（InP）是制作化合物半导体芯片的核心基片（衬底）材料，主要用于制造光电子器件和高频高速电子器件。

它的主要用途包括：

• 光通信芯片：这是磷化铟最大的应用领域。它是制造激光器（LD）、探测器（PD）和调制器的关键材料，广泛应用于数据中心和5G光纤通信中，因其能高效发出和吸收特定波长的光。

• 射频器件：利用其高电子迁移率，制作毫米波射频芯片（如HEMT、HBT），常用于雷达系统、卫星通信及部分高端无线通信设备。

• 光子集成电路（PIC）：作为集成平台，将多种光器件集成在同一块磷化铟芯片上，实现复杂的光信号处理。

简单来说，如果说硅（Si）是传统电子芯片的“地基”，那么磷化铟就是新一代光芯片和高频芯片不可或缺的“地基”材料。