存储的一个分析:
中国厂商扩产后,消费级的DRAM、SSD、NAND,甚至部分数据中心级的相关供应都会很快追上需求,可能从今年底开始就能逐步缓解。
现在最关键的瓶颈可能还是HBM,而瓶颈实际有三道:DRAM 晶圆 → TSV/堆叠/测试 → GPU 封装 CoWoS。
任何一道过不去,就全部卡在那。而从供给端技术进步/产能扩充的方法去解决,可能需要到28年-29年才有希望
发布于 湖南
存储的一个分析:
中国厂商扩产后,消费级的DRAM、SSD、NAND,甚至部分数据中心级的相关供应都会很快追上需求,可能从今年底开始就能逐步缓解。
现在最关键的瓶颈可能还是HBM,而瓶颈实际有三道:DRAM 晶圆 → TSV/堆叠/测试 → GPU 封装 CoWoS。
任何一道过不去,就全部卡在那。而从供给端技术进步/产能扩充的方法去解决,可能需要到28年-29年才有希望