中国存储方面的技术差距

HBM 领域：长鑫存储 HBM3 量产比三星、SK 海力士晚约 1 年，良率低 20-30 个百分点，HBM4 研发尚未启动，技术代差约 1-1.5 代

先进制程：DRAM 领域国际巨头已进入 12nm 以下，长鑫仍在 17-19nm；NAND 领域国际巨头已规划 400 层以上，长江存储 294 层刚量产

设备材料：光刻机国产化率 < 5%，EUV 完全依赖进口；高端光刻胶、特种气体等关键材料国产化率仍低于 20%
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HBM应该是差2-2.5 代