AI存储+设备材料，还值得关注的12家公司

长江存储300+层3D NAND悄悄量产，长鑫科技带着295亿募资冲进HBM赛道——国产存储的扩产速度，可能比大多数人想象的要快一个身位。

业内还在讨论存储涨价能持续多久，上游设备商已经忙到加班加点。拓荆科技的薄膜沉积设备、中微公司的刻蚀机，近期在两家存储大厂的招标中份额明显攀升。

消息层面，美光2026年资本开支上修至250亿美元，海力士80亿美元锁定光刻机——但更值得关注的是国内：“需求+技术+资金”三重共振下，长江存储和长鑫科技的扩产拐点已经出现。据测算，仅DRAM一项，2026年全球供需缺口就超过7%。

设备、材料、HBM封装，这三个环节正在同时被点燃。谁已经拿到了批量订单？哪几家公司的产品真正打进了两存的产线？
下面我们从三个维度逐一拆解。

01
前道晶圆制造设备

1）概述
在AI驱动下，全球存储行业正经历由HBM、DDR5、3D NAND等高附加值产品引领的超级周期。海外存储原厂（美光、SK海力士）持续上修资本开支，国内长江存储、长鑫存储则在“需求+技术+资金”三重共振下迎来扩产加速拐点。

3D NAND堆叠层数突破300层、HBM先进封装等关键技术迭代，显著提升了刻蚀、薄膜沉积、量测检测等前道晶圆制造设备的需求强度。叠加自主可控战略深化，国产设备在存储客户中的渗透率快速提升，设备订单有望进入爆发式增长阶段。

2）关键解读
AI需求爆发：AI训练与推理对HBM、企业级SSD等存储需求持续通胀，推动全球存储原厂资本开支大幅上修，美光2026年资本开支提升至250亿美元，海力士斥资80亿美元锁定光刻机产能。
国内扩产加速：长江存储300+层3D NAND量产、长鑫存储HBM突破，叠加上市融资支持，国内存储扩产拐点已现，直接拉动前道设备采购。
技术迭代驱动：3D NAND堆叠层数提升和HBM先进封装需要更多刻蚀、薄膜沉积步骤，设备用量和价值量同步增长。
国产替代深化：在自主可控背景下，拓荆科技、中微公司等本土设备商在存储客户中份额持续提升，高敞口公司充分受益。

3）核心公司
第1家：拓荆科技
细分领域：薄膜沉积设备（PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD）
概念关联：国内半导体薄膜沉积设备龙头，产品广泛应用于3D NAND、DRAM、HBM等存储芯片制造中的介质薄膜沉积环节，深度受益于长江存储、长鑫存储扩产及技术升级（如Xtacking、高深宽比工艺）。
最新进展：公司混合键合设备（瞄准Xtacking/3D DRAM/HBM）已布局，有望受益于先进存储客户设备国产替代大趋势。

第2家：中微公司
细分领域：刻蚀设备（CCP、ICP）、MOCVD
概念关联：国内刻蚀设备龙头，其等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际一线芯片制造商的先进制程产线。在存储领域，高深宽比刻蚀是3D NAND堆叠层数提升的关键，公司产品需求旺盛。
最新进展：公司充分受益于国内晶圆厂扩产，特别是两存（长江存储、长鑫存储）高敞口，刻蚀设备持续放量。

第3家：微导纳米
细分领域：ALD（原子层沉积）设备、CVD设备
概念关联：国内ALD设备领先者，产品覆盖逻辑、存储、新型显示等领域。在存储芯片制造中，ALD用于高k介质层、金属阻挡层等关键工艺，随着3D NAND层数增加和DRAM微缩，ALD工艺步骤大幅增长。

02
半导体材料

1）概述
半导体材料作为晶圆制造的关键耗材，其需求紧跟晶圆厂产能利用率和新产能释放节奏。

当前存储行业处于高景气周期，长江存储、长鑫存储等国产存储厂商持续扩产和技术升级，带动CMP抛光液/抛光垫、电子特气、光刻胶及配套材料、高纯靶材等材料需求显著增长。

同时，材料国产化进程加速，具备存储高敞口的公司业绩弹性更大。随着新产能爬坡放量，材料环节作为“卖水人”，成长确定性强，有望迎来EPS高增长阶段。

2）关键解读
景气传导明确：存储晶圆厂产能利用率维持高位，新产能陆续释放，直接拉动上游材料消耗，订单可见度高。
国产替代空间大：全球存储市场由海外巨头主导，国内存储市占率不足10%，材料环节国产化率更低，替代空间广阔。
技术升级增价值：3D NAND层数增加、HBM复杂封装对材料性能要求提升，高附加值材料（如高端抛光液、电子特气）用量和价值量双升。
高敞口高弹性：在存储客户中收入占比较高的材料公司，将率先受益于本轮扩产周期，EPS增速有望领跑。

3）核心公司
第1家：安集科技
细分领域：CMP抛光液、功能性湿电子化学品
概念关联：国内CMP抛光液龙头，产品覆盖铜、钨、氧化物等多系列抛光液，存储芯片制造中CMP步骤多、抛光液耗量大，公司深度绑定国内主流存储客户。

第2家：鼎龙股份
细分领域：CMP抛光垫、清洗液、光刻胶配套材料
概念关联：国内CMP抛光垫核心供应商，打破海外垄断，产品已进入国内主流存储晶圆厂产线。同时布局光刻胶、PSPI等高端材料。

第3家：神工股份
细分领域：大直径硅材料（硅零部件）、硅片
概念关联：国内领先的半导体级单晶硅材料供应商，产品包括硅零部件（用于刻蚀设备）和轻掺抛光硅片。存储晶圆厂扩产直接拉动硅材料和硅零部件需求。

第4家：广钢气体
细分领域：电子大宗气体（氮气、氧气、氩气等）、电子特种气体
概念关联：国内领先的电子大宗气体供应商，为存储晶圆厂提供高纯气体制备和供应系统。晶圆厂扩产及满产运行需长期稳定气体供应，合同周期长、现金流稳定。

第5家：雅克科技
细分领域：前驱体材料、光刻胶、电子特气、硅微粉
概念关联：公司通过并购整合，形成覆盖半导体前驱体、光刻胶、电子特气、球形硅微粉等关键材料的平台型布局。前驱体是DRAM电容和3D NAND存储单元的关键成膜材料。

03
国产HBM

1）概述
HBM（高带宽存储）是AI训练与推理的核心瓶颈环节，其通过TSV、2.5D/3D封装将多颗DRAM芯片堆叠并与GPU/CPU紧密集成，实现超高带宽。全球HBM市场由SK海力士、三星主导，国内长鑫存储正加速突破HBM技术，同时配套先进封装产业链同步跟进。

随着国内AI芯片需求爆发及自主可控要求提升，国产HBM产业链（包括测试设备、键合设备、封装材料等）迎来从0到1的黄金发展期，相关公司订单弹性巨大。

2）关键解读
AI核心瓶颈：HBM是AI芯片内存墙问题的关键解决方案，AI服务器对HBM需求呈指数级增长，当前全球供不应求。
国产突破在即：长鑫存储HBM布局持续推进，有望在2026年实现实质性突破，直接催化国产HBM产业链需求。
设备材料先行：HBM制造需要混合键合、TSV刻蚀、临时键合/解键合等专用设备，以及环氧塑封料、底部填充胶、PSPI等高端材料，国产供应商正加速导入。
测试环节关键：HBM堆叠后需要进行KGSD（已知良品堆叠）测试，精智达等测试设备公司深度受益。
资金支持加码：长鑫科技上市募资90亿元用于HBM等前瞻技术研发，为产业链提供确定性订单。

3）核心公司
第1家：精智达
细分领域：半导体存储器测试设备（老化测试、DRAM测试机）、探针卡
概念关联：国内存储器测试设备领先者，产品覆盖DRAM、NAND Flash晶圆级及成品测试。HBM需要KGSD（已知良品堆叠）测试，公司有望受益于国产HBM量产进程。

第2家：骄成超声
细分领域：超声波键合设备（引线键合、芯片键合）
概念关联：国内超声波键合设备龙头，产品用于半导体封装环节的引线键合、芯片堆叠键合。HBM中多颗DRAM芯片垂直堆叠，对高精度芯片键合设备需求迫切。

第3家：联瑞新材
细分领域：硅微粉（球形硅微粉、角形硅微粉）、先进无机非金属填料
概念关联：国内硅微粉龙头，产品用于环氧塑封料（EMC）、底部填充胶、PCB覆铜板等。HBM封装中EMC和底部填充胶需求量大，且对球形硅微粉性能要求更高。

第4家：华海诚科
细分领域：环氧塑封料（EMC）、电子胶黏剂
概念关联：国内半导体封装材料领先者，产品覆盖传统封装和先进封装用EMC。HBM等先进封装对高可靠性、低翘曲、低应力EMC需求增长。