碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。随着全球能源转型与人工智能算力需求爆发，碳化硅产业竞争已从单点技术突破进入全生态布局的新阶段。凭借其高耐压、高频率、低损耗的优异性能，碳化硅正加速渗透新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机（OBC）及直流变换器（DC-DC）。机构数据显示，采用碳化硅模块可使电动汽车续航里程提升5%至10%，或降低电池成本。
碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速增长的新能源相关应用中，SiC相比Si基材料更具优势。在新能源汽车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点。在光伏发电领域，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。除新能源汽车、光储充等赛道外，碳化硅在AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、AR眼镜/光学领域、先进封装等领域也实现了技术应用的突破。