今年是HBM4 的关键量产年，三大存储厂商，下半年开始放量。这里面有一个看头就是WF₆增加了多少，由于很难拿到厂商的生产信息，所以只能大概推测一下：1.由于每层芯片都需要WF₆参与薄膜沉积，堆叠层数的增加直接推高了其总用量。2.先进制程的金属层和接触孔数量远超成熟制程，导致单片晶圆的WF₆消耗量本身就有20-30%的额外提升。所以保守估计是增长30%以上，网上流传的说法是增长50%。AI大模型给的估计是：HBM4的WF₆用量相对HBM3（8层）的合理增幅约为 130%–170%，即2.3–2.7倍；若对比12层HBM3E，增幅约为 80%–120%。