庚白星君
26-05-18 21:55 微博认证:雪球用户 财经知识分享官 财经观察官 财经博主 微博原创视频博主

周末热议

事件:长鑫更新招股书,财务数据大超预期,市场关注度较高。长鑫2026年3月31日因财报到期中止审核,2026年5月17日,长鑫科创板IPO更新财报并恢复审核,目前审核状态为“已受理”,有望引爆新一轮行情。

1、长鑫重要数据解读:高增长,高资本开支,高股权激励26Q1,营业收入508亿元(Yoy+719%),净利润330元(Yoy+1268%),经营活动现金流净额425亿元(Yoy+21235%), 同时值得注意的是:

1)公司预计26H1实现收入1100~1200亿元(单季度环比增长约26%),预计26H1实现净利润660~750亿元(单季度环比增长约5%),考虑到当前的价格趋势,预计这一数据【反映了公司继续维持高强度资本开支的战略】;

2)董事长朱一明先生,秉持长期主义原则,为进一步激发员工的工作热情,推动公司高质量发展,自愿将其所持股份中的7.68亿股(约占总股本的1%出头)未来分配给企业员工用于股权激励。

2、基本面的三重beta:强beta+国产化+广阔需求,不是脉冲式的高增长,而是整体中枢的显著上移

1)受益于AI对于先进制程及先进存储芯片的旺盛需求,全球进入高资本开支的扩张周期,带动全球设备/耗材/洁净室等环节持续上行,这是板块的第一重beta;

2)出于供应链安全的考量,国内加大了对设备/零部件/耗材等环节的头部公司持持力度,相关公司产品验证与业务放量持续推进中,这是板块的第二重beta;

3)考虑到在先进制程及先进存储芯片的本土化供应份额,以两存/中芯/华虹为代表的晶圆厂持续高增长,带来了广阔的需求市场,这是板块的第三重beta。

3、存储链依然可以重点关注,先进逻辑后程发力

1)两存一旦上市完成,后续整体扩产会持续加速,首要任务是把产能缺口填补上(5年内,扩100+万片),第二步是参与全球竞争(10年内,再扩100+万片)。未来订单一定会持续加速。存储链依旧是接下来的重要主线。

2)未来3~5年,各家设备公司收入在25年基础上基本都是翻倍甚至翻几倍增长,因此设备板块属于确定性最强且具有巨大成长空间的板块之一。可以继续推荐!这一轮普遍估值回升,整体在当年订单10倍PS,但是看未来3~5年,订单实现高速增长,未来看还有50%~100%的市值空间。

4、存储产业专家交流要点:

1)存储行业在2022年至2024年经历了整体亏损和去库存后,自2025年起进入全面涨价周期。三大主流产品涨幅显著:HBM涨幅约200%,DRAM涨幅约170%,NAND涨幅约20%。涨价的核心驱动因素包括AI需求带来的结构性刚性增长、供应端高度集中(仅三星、海力士和美光三家掌握高端产能)、地缘政治扰动以及原材料成本上升。

2)三类产品的供需缺口差异明显。HBM缺口最大,当前约50%-60%,预计到2028年才逐步降至20%以内。DRAM和NAND缺口目前在5%左右,技术门槛相对较低,预计2027-2028年基本饱和。HBM缺口难以快速缓解的原因在于技术复杂度高、良率仅约40%、EUV光刻机设备瓶颈(全球仅ASML能产,年交付十余台)、以及关键原材料被垄断。

3)竞争格局方面,HBM领域海力士遥遥领先,市占率约52%-60%,三星约25%-30%,美光约18%-21%。DRAM领域三星第一(约36%-40%),海力士第二(约28%-30%),美光第三(约25%)。NAND领域三星仍是第一(27%-34%),海力士约20%,美光约10%-12%。扩产策略上,美光优先在美国布局HBM和高端DRAM,在新加坡兼顾NAND;三星全线扩张;海力士聚焦HBM。

4)长协成为主流签约模式,预付款10%-30%,长协价较现货价低10%-25%。头部客户大量锁定产能,英伟达锁定了海力士70%的HBM产能。渠道商囤货行为加剧价格波动,但厂家合约价更为理性。专家建议关注合约价和真实需求,而非渠道投机价格。

5)长鑫主攻DRAM,已有少量HBM3供货,每季度约0.2TB,主要面向国内AI企业。长存主攻NAND,聚焦企业级SSD。设备卡点正通过国产替代逐步缓解,国内设备(北方华创、中微公司等)在长存、长鑫中导入率约40%-50%。国内企业在技术和产能上快速追赶,未来有望抓住国内AI需求带来的增长机会。

6)除HBM外,HBF(基于NAND的存储仓库)和CXL协议等新技术可能带来弯道超车机会。若HBF等新形态成为主流,行业可能重新洗牌。CXL协议可以打通内存与存储,缓解HBM短缺,相关企业可能迎来机会。国内设备半导体企业也由此获得发展机会。

7)存储行业正处AI驱动的新一轮景气周期,供需紧张格局将持续数年。HBM涨价空间最大但长协客户价格相对可控,DRAM在2026年涨幅可达40%-60%后逐步回落,NAND涨价滞后于DRAM。各环节国产替代和技术迭代蕴藏机遇。

发布于 上海