国产EUV光刻机预计要到2030年实现小规模交付！

当前的进展如下：

1️⃣技术验证取得突破

国内团队采用了区别于 ASML 主流 LPP（激光产生等离子体）的 LDP（激光诱导放电等离子体）技术路线，可绕开部分海外专利壁垒，具备设备体积更小、能耗更低的特点。2025 年初已完成首台 EUV 原型机组装，可稳定产生 13.5nm 极紫外光（这是什么概念？就是可生产1-7纳米芯片），初步具备晶圆曝光能力，目前处于系统整合与模块测试阶段！

2️⃣核心模块逐步突破

极紫外光源功率已达到 ASML 量产机型的约 60%，上海光机所等单位突破了 0.5nm 级的 EUV 镜面缺陷检测技术；2025 年工博会上，上海微电子首次公开 EUV 相关技术参数，展示了两镜投影微场曝光装置，标志着国内 EUV 技术从原理研究迈入工程样机的概念验证阶段。目前，上海微电子的主力成熟产品仍为 90nm干式DUV 光刻机，28nm浸没式 DUV 光刻机才刚在 2025 年进入产线验证阶段。

3️⃣那具体什么时候量产呢？

根据当前产业攻关节奏与官方披露的研发规划，原型机的全模块验证预计在 2026-2028 年完成，目标是推出实验室验证样机。行业普遍预测要到2030 年前后才有可能实现小批量交付，且初期仅能满足成熟制程的配套需求，距离 ASML当前最先进的 High-NA EUV 技术仍存在代差。