800G：2025–2026 全面放量，2027 见顶；技术：硅光为主、LPO 为辅、EML 长距。

1.6T：2026 元年、2027 反超 800G；技术：硅光 > 80%、8×200G 主流、LPO/NPO 过渡。

3.2T：2027 小批量、2028 规模放量；技术：100% 硅光、NPO 先上、CPO 终极。

主流技术路线（1.6T）
架构：8×200G（主流），少量16×100G
硅光（SiPh）：占比80%+，绝对主力
单波200G PAM4，CMOS 工艺集成
优势：功耗～8W、成本比 EML 低 30%、集成度高
LPO/NPO（过渡）：
LPO：无 DSP，短距（<2km），英伟达主推
NPO（近封装）：光引擎靠近 ASIC，兼容可插拔，2026 下半年起量
EML 路线：8×200G EML，长距 DCI，占比 < 20%
代表：光迅、东山精密

主流技术路线（3.2T）
架构：8×400G，单波 400G PAM4
硅光（SiPh）：100% 采用，无硅光无法实现 3.2T 成本 / 功耗目标
NPO（近封装光学）：2027–2028 主流
光引擎与 ASIC 靠近、PCB 连接，兼容现有运维
代表：华工科技（全球首发 3.2T NPO）、光迅
CPO（共封装光学）：2029 年后主力，终极方案
光引擎与交换芯片同基板封装，电信号 < 50mm
优势：功耗再降 50%、密度最高；代表：英伟达 Spectrum-6、华工、中际旭创 ​​​​