制程：等效 3nm 增强版（国产工艺，非台积电 3nm），晶体管密度↑40%
能效：同性能功耗 **↓20–30%**，能效比↑35%，发热控制显著优于 9030
关键意义：彻底摆脱外部先进制程依赖，实现高端芯片自主可控 ​