暴涨233%！英伟达Rubin架构最大赢家：PCB（附A股核心标的）

英伟达gtc 2026:agent时代来临,vera rubin架构引领新潮流

摩根士丹利对英伟达下一代Rubin机架进行了全面的物料清单（BOM）拆解，从ODM处采购的Rubin机架售价约为780万美元，较上一代GB300机架的约399万美元几乎翻倍。

在其覆盖的下游零部件中，PCB内容价值增幅最为显著，较GB300大涨233%，其次是MLCC（+182%）、ABF基板（+82%）、电源（+32%）以及液冷组件（+12%）。

一、PCB跃升为AI核心互联介质

从AI计算底层物理特性来看，Transformer架构下大模型推理严格分为Prefill与Decode两个阶段，二者硬件资源消耗特征存在显著不对称。Prefill阶段为计算密集型，以矩阵-矩阵乘法（GEMM）为主，算术强度高，GPU可逼近FP4/FP8理论峰值性能，而Decode阶段为显存带宽密集型，以向量-矩阵乘法（GEMV）为主，需反复从HBM显存读取历史Key、Value向量至SRAM，算术强度大幅下降，Tensor Core长期处于等待数据的闲置状态，系统瓶颈由算力转向显存带宽。

这种不对称性彻底重塑AI硬件设计哲学。Decode节点需要更高密度的HBM显存封装基板与更高速的片间互联（NV Link/C2C），Prefill节点则需要支持更高功率密度的供电与散热方案，二者共同推动PCB从传统的连接载体升级为决定系统性能瓶颈的关键半导体级组件。

沿着“芯片→封装→板卡→机架”的尺度由小到大，可以清晰地看到PCB在AI硬件中地位的演进。

在芯片层面，HBM4的引入要求中介层和封装基板支持千位级I/O接口，信号完整性要求已逼近半导体封装基板标准；

在封装层面，CoWoS-L向CoWoP的演进让PCB首次承担起类基板的功能，层间对位精度与线宽线距向先进封装看齐；

在板卡层面，以GB300为例，服务器PCB层数从传统的10层左右跃升至20层以上，部分高端型号采用34至64层超高层设计，技术难度呈指数级攀升；

在机架层面，Rubin Ultra NVL576开始用一整块78层 M9级正交背板取代铜缆，承担机柜内GPU的全互联通信，PCB由此从板级组件跃升为机架级核心互联介质。

二、Rubin开启硬件密度时代

Rubin系列对PCB的需求拉动呈现“价量齐升”的叠加效应。

量上，Rubin Ultra NVL576机柜内集成144颗GPU封装（576个GPU计算单元），是NVL72的2倍，直接拉动PCB用量翻倍；

价上，以Rubin平台为例，其为达成低损耗与低延迟，全面升级使用材料，包括Switch Tray采用M8U等级（Low-DK2+HVLP4)和24层HDI板设计，Mid plane与CX9/CPX则导入M9（Q-glass+ HVLP4），层数最高达104层。这让单台服务器的PCB价值比上一代提升超过两倍。

正交背板（Orthogonal Backplane）是Rubin Ultra最具产业意义的工程创新之一，也是PCB“半导体化”的标志性事件。据台积电披露，Rubin Ultra在Kyber架构中引入正交背板，通过78层PCB实现GPU与NV Switch的互连，替代数万根铜缆，支撑更高密度的单机柜算力集成。

从加工端看，为支撑前所未有的集成密度，M9级高端PCB材料（如Q布）、100微米微通道冷板以及金镀层防腐工艺成为标配。

三、CoWoP与M9体系叠加赋能

CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB）是2025年下半年开始引发业内剧烈讨论的新一代先进封装方案，其核心思路简洁却具革命性：在传统CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）方案中去掉ABF封装基板与BGA焊球，将硅中介层与GPU/HBM组合直接安装在强化型基板级PCB上。换言之，强化PCB承担了原本封装基板的全部功能。

从优势看，CoWoP相对CoWoS具有多重潜在收益。
1）改进信号完整性：移除基板缩短信号路径，减少NV Link和HBM存储器的传输损耗，实现更远的通信距离；
2）增强电源完整性：电压调节器可以放置在更靠近GPU芯片的位置，从而最大限度地减少寄生电阻并提升功耗效率；
3）卓越的热管理：去除芯片盖可以直接从芯片散热，显著提升冷却性能；
4）减轻PCB变形：较低的热膨胀系数有助于减少高温操作下的板材弯曲和应力；
5）降低电迁移风险：更好的电流分布带来了更好的长期可靠性；
6）更低的ASIC成本：拆除盖子和包装基材可以降低零件和组装成本。
CoWoP与M9材料体系的双重叠加，正推动AI PCB的工艺指标全面逼近半导体级别。

在布线精度层面，采用mSAP（改良型半加成法）工艺的AI服务器PCB已将最小线宽/线距压缩至10μm/10μm级别，这一精度已触及传统减成法无法实现的IC载板区间；

在材料性能层面，英伟达Rubin系列采用的M9级覆铜板将介电损耗（Df）压低至0.0015以下，以支撑224Gbps超高速信号传输的严苛要求；
在层间结构层面，头部厂商已具备78层超高多层板的量产能力，并可将层间对位精度控制在±20μm以内。

四、核心标的

胜宏科技：AI算力卡、AI Data Center UBB&交换机市占全球第一，已切入英伟达GB200/GB300核心供应链；泰国及惠州等多地产能扩张顺利推进。

沪电股份：PCB产品主要用于AI服务器及HPC、高速网路交换机及路由器，切入英伟达供应链；已实施针对性的产能升级扩容，预计将于2026年第二季度有序释放。

鹏鼎控股：具备6阶以上HDI及SLP领先量产能力；淮安科技城HD园区正式动工，新建HDI/MSAP与HLC厂房，投用后淮安园区厂房将增至23座。

生益科技：高速材料已覆盖Extreme Low-loss及以上等级；拟投资52亿元建设高性能覆铜板项目，一期2028年投产，新增4800万平方米/年产能。

南亚新材：M6-M8级高速材料已批量供应国内头部算力客户，M9级产品处于NPI导入，M10级材料已启动海外核心算力终端认证；拟定增募资7.4亿元投向“基于AI算力的高阶高频高速覆铜板研发及产业化项目”。

东材科技：双马来酰亚胺、活性酯、碳氢、聚苯醚等高速树脂已通过生益、台光等覆铜板龙头，配套英伟达、华为、苹果、英特尔服务器体系；眉山“年产20000吨高速通信基板用电子材料项目”预计2026年6月底试车，新增电子级碳氢树脂3500吨。

菲利华：具备石英砂—电子布全产业链能力，超薄电子布已获全球覆铜板龙头客户认证测试；定增3亿元投建“石英电子纱智能制造一期”，新增1000吨电子纱产能。

铜冠铜箔：铜陵有色控股，电子铜箔总产能8万吨/年，HVLP1-4代铜箔已批量供货。

德福科技：HVLP1-3系列已批量供货AI服务器及400G/800G光模块，HVLP5完成样品认证并推进客户导入；3μm超薄载体铜箔通过国内存储芯片龙头认证并批量供货。

大族数控：CCD六轴机械钻孔机、新型激光设备已获全球龙头PCB客户量产认证，并联合研发CoWoP、CPO等下一代AI PCB量产方案；高厚径比通孔、高精度CCD背钻及新型激光加工方案销售强劲。

中钨高新：中国五矿旗下钨产业平台，子公司金洲精工是全球PCB钻针市场的第二大厂商，是M9材料钻针的一线核心供应商。

鼎泰高科：PCB钻针全球市占率前二，已批量供应AI服务器客户；拟投资50亿元建设智能制造总部基地，新增微型钻针、高端刀具产能，分三期实施。