SiC与GaN：突破算力瓶颈的战略材料

随着AI数据中心机柜功率迈向兆瓦级，英伟达已将800V高压直流（HVDC）确立为下一代AI工厂供电核心方案。SiC和GaN，正是这一转型的物理基础。

SiC 主攻配电端，是固态变压器（SST）的核心材料。单台SST设备SiC用量可达数百颗，国内导电型SiC衬底龙头天岳先进8英寸衬底全球市占率已突破50%。IDM龙头三安光电全产业链布局8英寸SiC量产，士兰微8英寸SiC产线已通线，目标年产72万片，重点覆盖AI服务器电源场景。宏微科技的SiC模块已通过海外AI服务器厂商认证并小批量供货。

GaN 用于机柜内部板载电源，转换效率可突破96%。全球8英寸GaN晶圆龙头英诺赛科已进入英伟达、谷歌供应链，成功切入800V HVDC供应体系。华润微的MOS、SiC、GaN等产品已批量供应服务器OEM及电源制造商；新洁能、捷捷微电等厂商已于一季度上调价格10%-20%。

国际龙头方面，英飞凌居林工厂聚焦8英寸GaN和SiC量产，预计2027财年AI相关营收达25亿欧元；德州仪器数据中心业务营收2026年Q1同比增长达90%；意法半导体正推进200mm SiC产能扩张并与英诺赛科合作8英寸GaN晶圆。

SiC和GaN在数据中心电源系统的渗透率预计2026年达17%，2030年突破30%。核心材料端技术迭代（大尺寸衬底、先进封装）与产能扩张，是卡位这场算力能效竞赛的关键。