长鑫存储计划2027年量产12层HBM3E，届时与三星、SK海力士、美光的技术差距有望缩短至2-3年。目前其HBM3样品已向华为等国内AI芯片厂商供货，处于验证阶段。此外，长鑫存储正与长江存储合作，探索20层HBM所需的混合键合技术。

市场数据显示，2026年Q1长鑫存储DRAM全球份额已达8%（同比增超两倍），位列第四。分析指出，虽然国内在HBM领域进展迅速，但在核心工艺、良率及客户认证等方面与头部厂商仍有较大差距。三星和SK海力士均在中国设有重要生产基地，需加强技术管理以应对中长期竞争。