转: 村田制作所能否正确把握这一硅电容的市场？
这也是关键呢

快速增长的Intel EMIB封装…硅电容也浮出水面
谷歌等将EMIB-T应用于下一代AI芯片…硅电容大量采用

硅电容（Silicon Capacitors）在AI半导体领域预计将呈现爆发性增长趋势。据悉，Intel为强化其独有的2.5D封装技术“EMIB”的性能，从明年起计划大量采用硅电容。

最受瞩目的需求方是谷歌。谷歌计划于明年下半年推出下一代AI加速器“v8e”，该芯片将采用内置硅电容的EMIB基板。亚马逊等其他大型科技企业目前也在讨论EMIB的适用性，因此有评估认为需求将急剧增加。

据27日行业消息，Intel计划从明年起将其2.5D封装技术应用于硅电容。

Intel在2.5D封装中采用“硅电容”…谷歌AI芯片抢先应用

2.5D是一种在半导体与基板之间插入薄膜状中介层的先进封装技术。与仅使用基板的现有封装相比，它能更密集地连接电路，在AI·HPC领域需求呈增加趋势。

Intel为提升2.5D封装的成本效率，开发了名为EMIB的独有技术。EMIB使用小型硅桥代替广泛的中介层来连接芯片与芯片。只需在芯片间连接所需的部分配置桥即可，因此能更灵活且高效地配置芯片。

最近，EMIB作为主导现有2.5D封装市场的台积电的替代方案而备受关注。这是因为台积电的2.5D封装产能因AI产业的急剧发展而陷入供应短缺困境。

事实上，全球大型科技企业谷歌也对EMIB表示关注。谷歌决定在其计划于明年下半年推出的自研AI半导体“v8e”中采用EMIB。芯片量产由台积电负责，设计及制造支持由联发科承担，封装则由Intel负责。

然而，有指摘指出，EMIB在电力消耗大的AI半导体中，逐渐显现出稳定电力供应的极限。对此，Intel计划为v8e的稳定封装引入硅电容、硅通孔电极（TSV）等新技术。

电容是电子电路中储存并释放电能的组件。在硅电容的情况下，与现有多层陶瓷电容（MLCC）相比，其电阻（ESL / ESR）低100倍以上，能将高性能半导体中产生的信号损失降至最低。此外，它基于硅晶圆设计超薄结构，实现高密度集成。

半导体行业人士表示：“AI芯片内高频区域发生的电压降下（电压降低现象）用MLCC难以解决，因此可看出Intel以此为解决方案采用了硅电容”，并解释称“目前相关供应链已构建，明年将正式进入量产”。

EMIB-T已进入增长轨道…相关生态系统·市场将共同壮大

此外，Intel在硅桥中插入了承担电力传输路径角色的TSV。通过TSV缩短基板与芯片间的电力传输路径，从而提升电力效率和信号完整性，这一点至关重要。Intel将其称为“EMIB-T”。

行业预计EMIB-T及硅电容市场将快速增长。

作为EMIB-T用半导体基板量产的主要企业之一，日本Ibiden正积极推进设备投资。

在此之前，Ibiden曾计划将岐阜县窑工厂建成Intel CPU用基板工厂。然而，该计划延期，今年上半年正式将窑工厂转为Intel EMIB-T用基板量产线。投资规模为2200亿日元（约合韩元2兆1000亿韩元）。

Ibiden通过最近的业绩公布表示，“窑工厂的运营将从2027年开始，2028年正式进入量产”，并称“EMIB-T用基板的产能目前相对于需求严重不足”。