三星已开始向全球客户提供最新12层HBM4E高带宽存储器芯片样品。

新推出的12层HBM4E芯片，是全行业首款同类产品。

最高传输速度可达每秒16Gb！该产品采用第六代10纳米级DRAM工艺，结合三星4纳米晶圆代工逻辑基底芯片制造。

三星做HBM是三巨头里最晚的，但是现在却是最领先的！

这来源于三星原先做逻辑芯片的深厚底子，以及先进制程方面的领先。

韩国的半导体产业，既有存储，又有代工，还有设备，也有材料……