某种意义上说，华为的韬定律，可以看做全球半导体制程演化，撞上了euv失败墙的if线。

在DUV年代，路线可能装上平面工艺墙的阶段，业内就考虑过这条路线。
多重曝光续了一波，FinFET续了一波，EUV又续了一波。

华为因为撞上了这条if线，所以走了当时的分支路线。

前几天的论坛圆桌上，谢源聊到：
那我们离开普林斯顿以后，我的第一份工作是去IBM工作。在那个时间点看到了IBM在做3D堆叠的硅穿孔（TSV）的技术。所以在2003年、2002年的时间点，IBM已经在做这个Technology。但是从EDA和架构设计上面其实还是一片空白。所以当时我跟IBM的Mentor讲，我说这个方向如果将来要成功的话，从EDA工具和架构上是不是都要做一个Fundamental的改变。他说对，的确如此。所以在IBM工作第二年，我就决定离开了，加入了学术界，因为只有在学术界才可以做更长远的研究。
所以在那个时候——就刚才陈毅然教授讲的那样——我们在2003年到2010年之间这段时间里面做了很多的工作，包括电路层的Folding、在Core这个Level的Folding，做了各种各样的事情。而且那时候我们也很荣幸跟Intel，当时是Leading的半导体公司，一起做这样的事情。我们把Pentium 4翻成两折叠在一起，然后我们把80个核叠上SRAM。但是这些东西呢都存在于一个研究的工作。
到了2010年——如果大家有机会看到我在2010年写了一个三页纸的文章，其实就是说：3D Architecture — Are We There Yet? 我们什么时候才会有这样的工作？
今天我们终于在那篇2010年之后的15年、16年之后，看到在华为和海思真正地把它做到产品当中去，我是觉得这是非常了不起的成就。