⚙️ 硅基功率IDM/设计龙头（IGBT/MOSFET为主）

1）士兰微 600460｜全能IDM，AI+车规双主线

- 地位：国内唯一全谱系IDM（IGBT/MOSFET/SiC/IPM）
- 核心：8/12寸产能满载；AI服务器电源+新能源车主驱双突破
- 亮点：SiC-MOSFET第四代出货，车规模块累计超10万颗；AI电源芯片（DrMOS/eFuse）批量供货
- 风险：12寸线折旧压力、高端良率爬坡

2）华润微 688396｜央企IDM，高压MOSFET龙头

- 地位：6/8/12寸全产能，MOSFET国内第一梯队
- 核心：AI数据中心高压超结MOSFET技术领先，车规批量供货
- 亮点：2026Q1净利同比**+296%**，涨价周期弹性最大
- 风险：价格战、中低端毛利承压

3）扬杰科技 300373｜分立器件龙头，SiC转型+海外渠道

- 地位：二极管全球前列，IDM全产业链（硅棒→封装）
- 核心：二极管稳现金流；SiC模块+车规+海外高毛利渠道放量
- 亮点：光伏/储能/工控全覆盖，海外收入占比提升，毛利率上行
- 风险：二极管价格战、SiC投入大回报慢

4）新洁能 605111｜MOSFET设计龙头，AI电源直接受益

- 地位：中高压MOSFET设计龙头，绑定头部AI电源厂
- 核心：AI服务器电源刚需，MOSFET率先提价（+10%起）
- 亮点：产品迭代快，能效比领先，国产替代加速
- 风险：纯设计无产能，代工依赖；价格战压力

5）斯达半导 603290｜IGBT模块绝对龙头

- 地位：国内IGBT模块市占第一，全球前五
- 核心：新能源车+光伏+储能+AI服务器电源；800V高压架构直接受益
- 亮点：模块单价+毛利率双升；车规认证齐全，海外客户突破
- 风险：英飞凌等巨头压制；SiC替代长期压力

6）东微半导 688261｜高压超结MOSFET专家，AI电源核心标的

- 地位：900V+超结MOSFET国内第一，技术壁垒高
- 核心：AI服务器高压电源拓扑专属，台积电/英伟达供应链
- 亮点：能效比领先，单价高、毛利高；国产替代空间大
- 风险：客户集中度偏高；扩产不及预期

7）宏微科技 688711｜IGBT单管+模块，国产替代黑马

- 地位：IGBT单管/模块专精，服务器电源国产替代份额提升
- 核心：AI服务器+工控+光伏；已提价约10%
- 亮点：绑定国内电源大厂，性价比优势明显
- 风险：规模偏小，抗风险弱；技术积累浅

 

💎 第三代半导体（SiC/GaN）核心标的

8）天岳先进 688234｜SiC衬底龙头，8寸线突破

- 地位：国内SiC衬底第一，全球第二梯队
- 核心：新能源车800V+光伏+储能；交期大幅拉长，供不应求
- 亮点：8寸线建设中，成本下行；国内唯一大尺寸量产
- 风险：衬底缺陷控制难；扩产烧钱；与海外差距仍大

9）芯联集成 688469｜SiC代工龙头，产能释放

- 地位：国内SiC晶圆代工龙头，车规认证齐全
- 核心：800V高压架构升级，代工需求爆发
- 亮点：产能持续释放，绑定头部IDM/设计公司
- 风险：代工价格战；良率波动影响毛利

10）英诺赛科 shturl.c｜GaN功率全球龙头，AI+机器人双轮

- 地位：GaN功率全球第一（消费+工业）
- 核心：AI服务器电源（高频高效）+人形机器人+快充
- 亮点：GaN渗透率提升，单价稳、毛利高；国产替代唯一GaN大厂
- 风险：港股流动性弱；GaN可靠性争议；巨头入局竞争

 

✅ 主线总结（一眼抓重点）

- AI电源最强：东微半导、新洁能、士兰微、华润微
- SiC（800V车/光伏）：天岳先进、芯联集成、士兰微、扬杰科技
- IGBT模块龙头：斯达半导（壁垒最高）
- GaN（高频）：英诺赛科（全球唯一规模化）