【清华团队合作实现基于斯塔克效应的可重构与多功能集成电路】
半导体的固有能带结构直接决定了其电子学器件的电学特性。然而，在传统的硅基电子学体系中，材料的能带结构在制造完成后便无法改变，这使得电路设计必须依循固定的能带范式，限制了电路的重构能力。尽管过去的研究发现，通过外加垂直电场引起的斯塔克效应可以实现对二维材料能带结构的调控，但如何将斯塔克效应诱导的能带调控转化为实际的电路级特性，并在电路架构创新中发挥作用，一直是半导体领域的空白与重难点。

近日，清华大学集成电路学院田禾副教授和任天令教授团队成功将二维黑磷中的斯塔克效应带隙调控机制引入集成电路应用。团队基于该效应不仅构建出增益与带宽可大幅调控的模拟放大器，还在单个晶体管上实现了多种二进制与三进制逻辑运算，并进一步展示了面向二进制神经网络的黑磷阵列。相关研究成果以“基于黑磷中斯塔克效应的可重构和多功能电路”（Reconfigurable and multifunctional circuits using the Stark effect in black phosphorus）为题 ，于5月25日在线发表于《自然·物理》（Nature Physics）。论文链接：http://t.cn/AXXx07nk（来源：集成电路学院）#科研速递# #清华大学[超话]#