半导体材料国产替代

半导体材料是芯片制造的关键，包括芯片基底制备，电路光刻，刻蚀沉积全流程。半导体材料整体国产化率约20%，未来空间巨大。

1、半导体材料：芯片制造之基

按环节分为：前道晶圆制造材料，后道封装材料。

晶圆制造材料有：硅片、电子特气、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、靶材、光掩膜版等。

封装材料有：引线框架、陶瓷材料、切割材料、环氧塑封料、导电胶等。

前道材料价值高，国产化率低。据SEMI，2025年全球半导体材料市场规模为860亿美元，同比增长7%。其中，晶圆制造材料为562亿美元，占65%。

2、三大材料：硅片、电子特气、光刻胶

硅片：芯片基底载体，半导体用量最大、价值占比最高的基础材料。8英寸硅片为成熟制程核心，12英寸大硅片覆盖主流成熟制程和先进制程，是中高端的核心。

光刻胶：光刻工艺的核心感光材料，直接决定芯片制程精度。原理是通过光照发生化学反应，配合掩模版，将精密电路图精准复刻到硅片表面，为后续刻蚀、离子注入等工序奠定基础。

特种气体：用于刻蚀、沉积、清洗等工序，占材料成本高，对纯度的要求极为苛刻：行业主流纯度等级为6N-9N，其中，先进制程刻蚀、掺杂核心特气普遍要求9N超高纯度。

3、半导体材料国产化加速

硅片全球前五大厂商：信越化学、SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SKSiltron，合计份额约80%以上。硅片国产化加速：一是6英寸及以下国产化率超60%，基本自给。二是8英寸国产化率达55%，显著提升，可满足成熟制程需求，但高端外延片、抛光片仍有缺口。三是12英寸国产化率约25%，产能缺口70%以上，本土企业加速扩产，2026年末国产化率有望突破30%。

全球光刻胶主要企业：日本东京应化、JSR、信越化学、富士胶片，占率超80%，高端市占率95%。半导体光刻胶整体国产化未来空间大：一是g线光刻胶国产化率超90%、i线光刻胶国产化率约60%，已实现规模化国产替代；二是中端KrF光刻胶国产化率不足15%；三是高端ArF干式、湿式光刻胶、EUV光刻胶目前无规模化国产产能。

全球特气市场主要玩家：美国空气化工、德国林德集团、法国液化空气、日本大阳日酸，四大巨头合计占全球约80%份额。电子特气整体国产化率不足30%：基础电子特气实现国产，中端刻蚀气加速替代，高端掺杂气、先进制程特气进口依赖高，是国产替代突破的关键。

半导体材料国产替代空间巨大。

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