上海微系统所在ISPSD 2026发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题 http://t.cn/AXX1ELJM _新浪新闻

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上海微系统所在ISPSD 2026发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题 http://t.cn/AXX1ELJM

发布于北京