EMIB是CoWoS替代方案_新浪新闻

叶荣添

26-06-10 12:39 微博认证：股市分析家

英特尔EMIB 绝对是 TSMC CoWoS 的可信替代方案

发布于北京

叶荣添：

英特尔EMIB 绝对是 TSMC CoWoS 的可信替代方案

2026-06-10 12:39:24

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招财大爵爷：

说说英特尔押注的EMIB封装路线 EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）是英特尔主导的2.5D先进封装技术，本质是在封装基板中嵌入微型硅桥（边长<5mm），只在需要高速互连的芯片之间建立专用通道，其他连接由传统基板完成。这个技术减少了硅中介层的使用量，成本低，布

2026-06-09 13:31:39

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但斌：

先进封装之争白热化！英特尔EMIB-T良率已达90% 或用于谷歌下一代TPU - 今日头条http://t.cn/AXJ9ajjL

2026-05-04 15:29:03

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财联社APP：

【先进封装之争白热化！英特尔EMIB-T良率已达90% 或用于谷歌下一代TPU】据知名分析师郭明錤透露，英特尔的EMIB-T先进封装后段良率已提升至90%以上，在技术验证方面，这是一个非常积极且合理的指标，或推动谷歌在2027年下半年推出的TPU v8e（Humufish）中采用EMIB封装。http://t.cn/AXJ9S9Qg

2026-05-04 15:34:54

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但斌：

HBM封装有了新选项？SK海力士或联手英特尔，EMIB技术获青睐http://t.cn/AXiLDMWd

2026-05-11 18:21:44

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MebiuW：

EMIB 本来也就支持HBM，Intel之前的卡上好像就用过。不过EMIB并非不需要硅片，只是不需要那么大一个硅片。 EMIB桥本身也是一个硅片。

2026-05-12 09:17:00

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微型计算机官方微博：

【SK海力士正在与英特尔合作】据TECHPOWERUP报道，SK海力士正在与英特尔合作，让EMIB封装可用于HBM。外界猜测，SK海力士拓展其供应链的主要原因是其越来越多的客户考虑英特尔的代工服务。有消息人士透露，SK海力士希望将EMIB封装技术融入到HBM生产流程里面，以便新一代HBM4模块的集成，成为生产标准之

2026-05-12 09:31:38

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神芯组织二号头目：

是的，英特尔拥有先进封装业务，并且在该领域处于全球领先地位。英特尔的先进封装技术是其“IDM 2.0”战略的核心组成部分，旨在通过创新的封装方式提升芯片性能、能效和集成度。其主要先进封装技术包括： EMIB（嵌入式多芯片互连桥）：一种高密度互连技术，用于在封装内连接多个小芯片（chiplets），

2026-05-05 22:45:13

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强者Strong：

资讯收集。先进封装之争白热化！英特尔EMIB-T良率已达90% 或用于谷歌下一代TPU 05月04日来源：财联社字号：据知名分析师郭明錤透露，英特尔的EMIB-T 先进封装后段良率已提升至90%以上，在技术验证方面，这是一个非常积极且合理的指标，或推动谷歌在2027年下半年推出的TPU v8e（Humufish）中采用EMI

2026-05-06 11:42:17

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价值投资掌门人：

碳化硅（SiC）概念梳理事件催化 2026年5月13日盘后，据券商纪要，电源领域SiC功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源显著提升转换效率与功率密度，配合800V HVDC架构提升整体效能。封装领域，NVIDIA预计在Rubin平台引入SiC并采用TSMC CoWoS，以SiC替代硅中介层，TSMC亦与供应商开发12英寸单晶Si

2026-05-14 22:28:16

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招财小仲景：

小摩：市场热议的CoWoS下调，什么情况？ 1、近期市场传闻TSMC高阶封装技术CoWoS的订单被大幅调降，特别是来自NVIDIA和AWS/Marvell的订单。JP摩根分析认为这并非AI需求问题，仅是先前过于乐观的预期被调整至更现实水平，约8-10%的降幅。 2、CoWoS调整的根本原因有四方面：一是之前的预测过高（高达85-

2025-03-04 09:22:57

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叶荣添：

英特尔EMIB 绝对是 TSMC CoWoS 的可信替代方案

2026-06-10 12:39:24

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二营老班长股市繁荣：

#股票##a股# 细分之碳化硅 2026年5月13日盘后，据券商纪要，电源领域，SiC功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源显著提升转换效率与功率密度，配合800V HVDC架构提升整体能效。封装领域，NVIDIA预计在Rubin平台引入SiC并采用TSMC CoWoS，以SiC替代硅中介层，TSMC亦与供应商开发12英寸单晶SiC载板；

2026-05-15 07:41:21

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一图复盘尚：

#产业信息更新 1）NVL 576版本NPO方案接近ready，但被定位为备选方案，优先CPO量产方案。TSMC在5月的CPO测试情况很好，25张PIC晶圆与COUPE测试没有fail项。 2）正交背板设计裕量被要求减少3db，研发端选用当前最高等级物料做可行性研发，背板方案仍处于研发阶段，目前未定最终量产方案。 3）台达与麦格

2026-05-29 08:55:24

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林起：

芯片四大工序：设计、制造、封装、测试，跟印度四大种姓一样，工序也有高低之分，很多人以为制造是最难的皇冠，所以台积电核心是把光刻机玩到最好。错，蚀刻只是前菜，先进封装才是看家本领，AI芯片全靠CoWos，新一代技术CoPos更牛，放弃圆形硅柱采用方形玻璃基板，封装才是别人无法追赶TSMC的护城河。

2026-05-10 11:58:59

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张会长说财经：

【AI 芯片真正的战场，已经从“谁的架构更强”变成“谁能抢到先进封装产能”】 2025 年底最残酷的现实：谷歌不是造不出更强的 TPU，而是根本造不够。高端 AI 加速器（不管是 NVIDIA Blackwell、TPU v7、Trainium 3 还是 MTIA）全都卡在同一个地方 —— TSMC CoWoS 先进封装。过去 18 个月，NVI

2025-11-29 03:13:12

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图灵量化：

TSMC CoWoS 总产能， 2025 年底约 7-8 万片/月， 2026 年底预计到 11.5-14 万片/月， 2027 年有望到 17 万片/月； CoWoS-L 产能占比， 2026 年预计升到 40%-45%；B200 单卡封装成本约 1000-1100 美元，比 H100 的约 750 美元高出一截。海外先验证扩产。设备订单的连续性就会更强。我们更像是另一道

2026-05-23 14:42:25

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长庚星夜君：

聊一下Intel的EMIB-T，这个技术可能在未来两年改变先进封装的竞争格局。先说背景。AI加速器的封装面积越来越大，一颗芯片装不下的计算和内存，需要把多颗die封装在一起协同工作。当封装面积超过单次光刻曝光的极限，就需要用”局部硅桥”来连接相邻的die。这个思路，TSMC和Intel各自走出了不同的实现

2026-05-13 09:04:31

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高山流水-万钦：

5月26日策略／国外同行评价盛合晶微一、头部封测厂日月光（ASE）/矽品（SPIL）技术对标：认可其2.5D硅中介层路线与台积电CoWoS、矽品LEAP属同一代际，无代差；微凸点间距20μm（优于三星40μm）、硅转接板尺寸达3倍光罩（接近台积电3.3倍），良率99.5%+。差异化定位：矽品侧重“大面积、成本

2026-05-25 21:04:12

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