调研解读|DrMOS用量更新：数量跟着芯片功率走，近千亿RMB市场空间
H100 芯片，功率 700W，DrMOS 用 58 个（50A规格）。按芯片电压0.8V计算，单DrMOS的工作电流15A（峰值可能达到30A），相当于负载比例30%。
为什么负载比例这么低？负载高，温升高，效率低
1）H100是风冷架构，DrMOS散热差，稳态温度超过120°C，需要留有充足冗余保证元器件寿命。
2）DrMOS本身跑在20-30%的负载区间效率最高（根源是温升低），最高能达到约95%，如果负载比例达到70%+，效率反而掉到80%；高端场景将两个drmos并联，实际上每个drmos分担电流减半！
到rubin怎么变？更大功率，更多DrMOS
1）风冷变液冷，散热更好，效率峰值区间往高负载区域移动，能承担更大负载而效率维持；
2）rubin功率按1800w（芯片电压0.7V），单个DrMOS承担40A电流（90A对应负载比例45%），对应65个DrMOS需求。未来Feynman，以及叠加光模块供电，DrMOS需求只会更多，预计超过80个。
按28年全球6000w颗算力芯片需求，每颗对应100个DrMOS（GPU80 + CPU 20），单价2美元（下半年涨价前价格），对应120e美元市场。用量和单价均有上修空间。
重点关注NV谷歌链【晶丰明源】、HW链【杰华特】。