【美偌科发布新一代 48V 快充用 150V 低阻 MOSFET！】

48V 输出让高功率快充有了更大的设计空间，但也把功率器件推到了更重要的位置。对于电源厂商来说，MOSFET 的耐压、导通电阻、栅极电荷和可靠性，都会直接影响整机效率、温升、体积以及长期稳定性。

美偌科 MIR15N7P4S1GC 采用 150V 耐压平台，具备低导通电阻、低栅极电荷、较高 SOA 能力以及增强雪崩耐量等特点，可满足 48V 输出快充、通信 DC/DC、高频同步整流等应用对效率和可靠性的要求。

随着高功率快充继续向高压化、高密度方向发展，这类 150V 低阻 MOSFET 也将为电源工程师提供更具竞争力的器件选择。 http://t.cn/AXa7EPhU