三星海力士计划用钼材料替代钨材料

据媒体报道，SK海力士已完成375层3D NAND闪存的生产验证工作，正推进产线落地，计划2026年底正式量产。而本次迭代最大的技术亮点在于，用钼材料替代钨材料制作字线。事实上，三星电子此前已于2024年4月率先在286层第九代3D NAND中引入钼工艺，如今两大存储巨头相继切换，钼替代钨的趋势已基本确立。