#a股##股票# 存储芯片产业链（HBM/3D NAND）技术迭代与材料替代

SK海力士已完成375层3D NAND闪存生产验证，核心突破在于使用钼（Mo）材料替代传统钨（W）材料制作字线，以提升性能与存储密度。三星已率先落地钼材料工艺，预计2030年钼材料需求达80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺。同时，全球半导体营收增长中存储器为核心推动力，Q1环比增幅超80%。