磷化铟产业一览：
一、上游：高纯原料 + 核心设备（卡脖子源头）
①高纯铟（7N+）
- 株冶集团：全球高纯铟主力，年产能60吨
- 锡业股份：全球铟产量第一
- 有研新材：高纯铟自供，配套自家衬底
②高纯红磷（6N+）
- 国内：湖北兴发、云南马龙（工业级→高纯提纯）
③InP多晶料（单晶前驱体）
- 陕西铟杰：规划250吨/年，2026年底落地
- 先导微电子（先导智能子公司）：多晶+衬底一体化
④核心设备（VGF/VB炉、MOCVD、切磨抛）
- MOCVD：中微公司、北方华创（国产替代）
- 晶体生长炉：华讯方舟、中科晶电（自研VGF/VB）
- 切磨抛：中电科、北方华创
二、中游：InP衬底（最高壁垒，国产突破口）
第一梯队（已量产/头部）
- 云南锗业（鑫耀半导体）：
4英寸15万片/年；6英寸小批量（良率70–75%）；2026年底扩至45万片/年；华为哈勃23.91%，国内市占80%+
- 有研新材：2–4英寸稳定量产，6英寸送样；02专项承担单位
- 鼎泰芯源（博杰股份24.68%）：扩产中，目标20万片/年
第二梯队（中试/在建）
- 先导微电子：6英寸InP衬底量产，航天/光伏为主
- 中铝乾星（成都）：2026年新建中试平台（央企）
- 中科晶电（中科院半导体所孵化）：6英寸中试，月产3000片（2英寸当量）
三、中游：外延片（决定芯片性能，IDM核心）
- 三安光电：国内唯一InP全链条IDM；6英寸外延月产5万片，良率85%+；全球市占40%+
- 九峰山实验室（武汉）：国内首个6英寸InP激光器/探测器外延工艺，性能国际领先
- 有研新材：2–6英寸外延中试+量产平台
- 武汉新芯光电：4英寸外延良率85%+
四、下游：光芯片 + 射频芯片（价值最高）
①光芯片（DFB/EML/CW/探测器）
- 源杰科技：InP激光器龙头，50G/800G批量供货
- 光迅科技：DFB/EML/探测器全系列，自研InP芯片
- 长光华芯：高端InP激光芯片，AI数据中心
- 三安光电：800G/1.6T光芯片批量供货
②射频/毫米波芯片（PHEMT/HBT）
- 中电科13所（石家庄）：国内最早做InP；高频器件军工主力
- 中电科55所（南京）：InP毫米波/太赫兹芯片，02专项核心
- 中科院微电子所：InP HBT/PHEMT，太赫兹通信
五、终端：光模块 + 封装（应用出口）
①光模块
- 中际旭创、新易盛、光迅科技、华工科技：800G/1.6T模块，依赖国产InP芯片扩产
②封装/测试
- 光迅科技、天孚通信、博杰股份：InP芯片封装、测试方案
六、核心研发机构（国家队+高校，技术源头）
①中科院系
- 中科院半导体所（北京）：InP全链条研发，国家重点研发计划牵头
- 中科院微电子所（北京）：高频/太赫兹InP器件
②中国电科
- 13所（石家庄）：InP单晶/衬底/高频器件，军工核心
- 55所（南京）：InP光/毫米波芯片，02专项核心
②国家级实验室
- 九峰山实验室（武汉）：6英寸InP外延国际领先，联合鑫耀半导体
- 有研工研院（北京）：2–6英寸衬底/外延中试平台
④高校（基础研究+前沿）
- 清华大学、北京大学、上海交大、电子科大：InP外延、光芯片、高频器件方向强