#a股##电容# 我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用高端芯片

$鸿远电子(sh603267)$、$中微公司(sh688012)$

据报道，湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。

点评：该技术的成功研制，打破了高端片上电容长期依赖进口和海外先进代工厂专有工艺的局面，实现了材料、结构、工艺、建模的全链条自主可控。这为我国先进集成电路产业补上了无源元器件的关键短板，筑牢了底层技术根基。随着AI产业的爆发，全球高性能计算和AI芯片对先进片上电容的需求呈爆发式增长，潜在市场规模达百亿级别。A股相关概念股有$鸿远电子(sh603267)$、$中微公司(sh688012)$等。