EML芯片、磷化铟、保偏光纤是当前光互连三大产能瓶颈
1. EML芯片（最紧缺，算力刚需）
判断高度准确
800G/1.6T/3.2T长距光模块唯一高速光源，海外Lumentum、住友垄断80%高端产能，英伟达、云厂商锁长协，交期排至2027年；
国产100G/200G EML良率爬坡慢、MOCVD设备交付周期6–10个月，短期扩产极难；
稀缺根源：外延工艺、调制器集成、高速封装三重壁垒，是整条光模块链条最卡脖子环节。

2. 磷化铟（InP衬底/外延，EML上游根源瓶颈）
判断准确，是EML紧缺的底层原因
所有高速EML、DFB、硅光CW光源必须用InP衬底，无替代材料；
2026全球需求260–300万片（4英寸折合），有效供给仅75万片，缺口70%+；
全球90%产能被日本住友、美国AXT垄断，国产6英寸高端衬底量产厂商极少；单晶炉、高纯铟、晶体生长良率三重约束，扩产周期18–24个月。

3. 保偏光纤（CPO/NPO新增稀缺增量，传统市场紧平衡）
判断局部成立，分场景
传统陀螺、相干通信需求平稳，供需基本平衡；
CPO/NPO架构爆发后极度紧缺：光引擎内部相干光源、光开关、干涉器件必须保偏光纤，用量是传统方案数倍；康宁、藤仓海外产能被海外云厂包销，国内高端匹配光引擎的高精度保偏光纤产能不足；
壁垒：预制棒精密掺杂、拉丝亚微米级应力控制、高消光比指标，扩产设备定制周期长。

补充：产业链还有其他稀缺环节
DSP芯片、MOCVD设备、高端MT插芯、3nm光模块封装晶圆同样紧缺，但EML→磷化铟是算力光模块最核心、最刚性的上游瓶颈；保偏光纤属于CPO新增专属瓶颈。

国内各赛道龙头（前三，按量产规模+高端算力客户认证排序）
（一）EML高速光芯片（56G/100G/200G Baud，算力数据中心级）
东山精密（索尔思光电）
国内唯一大规模量产200G EML，直接供货1.6T光模块，英伟达/Meta/旭创核心供应商，海外认证最完善、出货量国内第一，IDM全流程。

源杰科技
纯国产IDM标杆，100G EML稳定批量交付，200G送样验证，切入谷歌、微软供应链，国内光模块厂全覆盖，毛利率行业领先。

光迅科技（中国信科）
老牌通信国家队，25G/56G EML成熟量产，自研外延+芯片，电信+算力双线供货，自研设备配套，国产替代核心力量。

备选梯队：三安光电（6英寸外延平台，多规格EML送样）、华工科技（华工正源自用为主，对外供货少）。

（二）磷化铟（分衬底、外延两个细分，分开列）
1）磷化铟衬底（单晶晶圆，芯片基底）前三
云南锗业（鑫耀半导体）
A股衬底绝对龙头，国内市占80%+，4英寸满产、6英寸小批量交付；华为哈勃入股，订单排至2027年，2027年扩产后总产能45万片/年。

有研新材
央企材料平台，高纯铟自供，2–4英寸稳定量产，军工/通信保供优势强，6英寸完成送样验证。

广东先导微电子（非上市）
国内首家6英寸衬底规模化量产企业，产能扩张快，供货源杰、三安等芯片厂，高端射频/光芯片衬底主力。

2）磷化铟外延片（衬底之上生长发光层，芯片制造核心）前三
三安光电
全球InP外延龙头，6英寸外延产能国内第一，全球市占40%+，配套自有EML芯片，对外代工头部光芯片厂。

海威华芯（博杰股份参股）
国内高端InP外延代工主力，华为认证，射频+光通信双赛道，产能利用率高位。

源杰科技
IDM自建外延产线，自给配套100G/200G EML，对外少量代工。

（三）保偏光纤（分传统军用陀螺 + CPO高精度算力级）
长飞光纤
国内市占第一（27%–29%），PCVD自研预制棒，全规格熊猫型保偏光纤批量出货，CPO配套高精度产品已批量供货，产能规模断层领先。

长盈通
特种光纤专精龙头，保偏光纤业务占营收核心，高消光比算力级保偏光纤优势突出，深度绑定国内CPO厂商，军工+算力双需求支撑。

烽火通信（锐光信通）
老牌特种光纤厂商，宽温域军用级保偏光纤成熟，依托通信系统客户，CPO光引擎配套持续放量。
备选：亨通光电（高精度新工艺突破，扩产加速）。

总结
国产龙头速记：
EML芯片：东山精密＞源杰科技＞光迅科技
InP衬底：云南锗业＞有研新材＞广东先导；InP外延：三安光电＞海威华芯＞源杰科技
保偏光纤：长飞光纤＞长盈通＞烽火通信