英特尔称，Intel 18A-P制程已进入风险试产阶段

据MarketWatch报道，当地时间6月16日，英特尔宣布其18A制程节点的升级版本——18A-P，已正式进入"风险生产"（risk production）阶段。
在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工部门介绍，Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段。借助Intel 18A制程节点，英特尔已经将全环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术正式推向市场。
此外，英特尔代工部门还介绍了未来芯片微缩相关领域的研究进展：在互补场效应晶体管（CFET）方向，英特尔展示了单片式CFET反相器，该反相器的NMOS与PMOS器件采用垂直堆叠设计，栅极间距达到45nm；英特尔还展示了300mm晶圆上的单片集成技术，该技术可将氮化镓功率器件与包含约1000个逻辑门的数字控制模块在内的硅基逻辑集成在一起；同时英特尔展示了采用空气间隙集成的减成法钌互连技术，与传统铜互连相比，该技术可降低最高约35%的电容，频率提升效果显著。