【消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果，目标 2027 年量产】6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。相较 DRAM，MRAM 的一大优势是其具备非易失性 (Non-Volatile)，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。

三星电子的 5nm MRAM 拥有 -40~+150 ℃ 的宽广工作环境温度范围，能满足 AEC-Q100 标准要求，正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。