靶材量价齐升。
机构指出，先进制程和3D封装使“金属”从辅助材料跃升为核心耗材，7nm以下制程的金属层数显著增加，HBM新一代存储芯片量产使靶材消耗较传统工艺提升3-5倍，Chiplet架构的垂直堆叠更让靶材沉积次数呈指数级增长。
发布于 浙江
正师兄好
靶材量价齐升。
机构指出，先进制程和3D封装使“金属”从辅助材料跃升为核心耗材，7nm以下制程的金属层数显著增加，HBM新一代存储芯片量产使靶材消耗较传统工艺提升3-5倍，Chiplet架构的垂直堆叠更让靶材沉积次数呈指数级增长。