碳化硅（SiC），最正宗的9家公司

碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表，禁带宽度是硅的3倍，击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的3倍。在新能源汽车主驱逆变器里，碳化硅替代硅基IGBT可以把系统效率提升5-10个百分点。在AI数据中心电源里，英伟达GB300系列从2026年起适配800V直流供电架构，碳化硅固态变压器（SST）是方案核心。

2023-2024年，碳化硅行业经历了价格踩踏。6英寸导电型衬底单片从一万元以上跌到500美元以下，比国际同行还低四成。一批中小厂关门，连海外龙头Wolfspeed都主动收缩了产能。但2025年Q4起，剧情反转。

直接催化来自三个方向。2026年5月20日，华西证券发布《SiC深度（二）》研报，首次明确提出SiC是AI新主线，测算到2030年AI电源的SiC衬底需求近700亿元，实现近8倍增长。2026年6月9日，上证报记者实地调研碳化硅全产业链，确认衬底供应紧张、价格涨幅明显，衬底大厂产能利用率普遍超90%，芯片模块企业交付周期大幅拉长。2026年6月15日，证券时报报道英伟达及其核心客户直接介入上游材料协调，SiC器件成为AI数据中心SST产品的核心支撑。

更关键的是供需缺口。据方正证券测算，2026年全球SiC衬底有效产能约330万片，而需求量达到629万片，缺口接近50%。2025年全行业8英寸SiC衬底产量不到40万片，但全球新增8英寸FAB线规划年产能已超243万片，是2025年产量的7倍以上。五矿证券测算，到2030年全球SiC衬底需求将达1676万片（6英寸等效），是2025年需求的12倍。

价格方面，6英寸SiC衬底价格从底部大幅反弹，8英寸止跌企稳并小幅上涨。晶升股份投资者交流记录显示，部分衬底厂商已收到下游客户新增订单。碳化硅衬底加工费普遍上调，衬底大厂产能利用率超过90%，全产业链从衬底到器件到设备都处于高景气区间。

车规刚需（新能源汽车、光储、充电桩）+ AI电源增量（SST、CoWoS interposer）+ AR眼镜散热材料三重需求共振，加上供给端产能释放严重落后于需求增长，碳化硅正在经历从产能过剩到供不应求的剧烈反转。

据恒州诚思（YH Research）统计，2025年全球碳化硅衬底市场规模约36.73亿元。华西证券2026年5月研报测算，仅AI电源单项到2030年就将贡献近700亿元的SiC衬底需求。另Yole Group预测2024-2030年全球SiC晶圆需求从115万片增至483万片，CAGR 27%。

2026年是关键拐点：6英寸价格底部反弹确认、8英寸从研发阶段走向放量、12英寸天岳先进率先突破并送样、台积电CoWoS先进封装用SiC interposer开启交付。行业从供过于求切换至供不应求。

碳化硅的产业链层级分明：衬底是价值量最高、壁垒最高的环节（占成本约50%），器件和代工是规模放量的关键，设备是国产化卡脖子的最后一关。

本期我们筛选出碳化硅产业链各细分领域的核心公司，从业务关联度，市场占位等维度为大家进行深度梳理，供大家研习参考。

注意：以下内容基于公开信息整理，仅供行业研讨与学习交流，不构成任何投资建议、操作引导或收益承诺。

天岳先进 （全球碳化硅衬底龙头）

核心定位：全球导电型碳化硅衬底市占率27.6%第一，8英寸份额51.3%全球第一，率先推出12英寸衬底，国内技术最领先、规模最大的碳化硅衬底企业。

概念关联：主营高品质碳化硅衬底的研发与产业化。2025年碳化硅产品折合69.04万片，同比增长68.31%，销量同比增长75.33%。公司是全球少数能实现8英寸SiC衬底量产的企业，已完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关。在AI数据中心领域，正配合全球头部功率器件厂商推进下一代电源管理芯片研发，在先进封装领域配合头部客户推进SiC interposer应用突破。

三安光电 （化合物半导体平台级龙头）

核心定位：国内化合物半导体领域最完整的企业，覆盖SiC衬底→外延→芯片→器件全产业链，6英寸和8英寸SiC产线均有布局。

概念关联：主营LED外延片/芯片、射频芯片、滤波器芯片、电力电子芯片、光通讯芯片。在碳化硅领域拥有6寸和8寸衬底、外延、芯片产线，产品广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩等领域。公司与意法半导体合资建设的8英寸车规级MOSFET芯片厂（规划52万片/年）已于2025年11月通过环保验收。

天富能源 （控股天科合达，国内衬底市占率第一）

核心定位：通过控股天科合达，深度参与碳化硅衬底市场。天科合达是国内碳化硅衬底市占率第一的企业，与天岳先进并称国内衬底双龙头。

概念关联：天富能源主营电力与热力生产供应、天然气、城镇供水。旗下天科合达主营碳化硅晶片、碳化硅生长炉，是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业之一，导电型衬底国内市场占有率领先，产品覆盖6英寸和8英寸。

露笑科技 （碳化硅衬底量产新锐）

核心定位：碳化硅业务是公司三大主业之一，6英寸导电型碳化硅衬底已实现批量生产销售，在新能源汽车和光伏逆变器等领域有广泛应用。

概念关联：主营碳化硅业务、登高机业务、光伏发电、漆包线。碳化硅方面涉及6英寸导电型衬底的生产和销售，并参与碳化硅长晶炉的研发生产，覆盖从晶体生长到衬底加工的多个环节。

士兰微 （IDM龙头，SiC产线放量在即）

核心定位：国内少数IDM模式半导体企业，6英寸SiC产线月产能已达1万片并满产，8英寸SiC功率器件生产线2026年下半年投产，从衬底到器件的完整能力。

概念关联：主营硅半导体及化合物半导体产品的设计、制造和封装，产品覆盖硅基集成电路、分立器件、SiC/GaN功率器件、LED芯片。6英寸SiC产线（士兰明镓）月产能1万片，预计2026年满产；8英寸SiC功率器件芯片生产线（士兰集宏）2025年Q4通线，月产5000片，2026年下半年正式投产。同时规划总投资200亿元的12英寸高端模拟集成电路生产线。

芯联集成 （SiC MOSFET代工先锋）

核心定位：国内领先的功率系统代工企业，8英寸SiC MOSFET产线已量产，月产能2000片，覆盖从晶圆制造到模组封装的全流程。

概念关联：主营功率系统代工和信号链系统代工，产品覆盖IGBT、MOSFET、SiC MOSFET芯片及模组、功率驱动与控制产品、硅麦克风、激光雷达微镜及VCSEL芯片、压力与惯性传感器。8英寸SiC MOSFET产线已规模量产。

时代电气 （央企SiC产线，车规认证厚）

核心定位：中车旗下功率半导体平台，8英寸SiC产线2025年12月通线，新增36万片/年产能，总投资53亿元，车规级认证和客户资源深厚。

概念关联：主营轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统，同时布局功率半导体器件。8英寸SiC产线已通线，新增产能36万片/年，总投资53亿元。公司传感器件居轨道交通领域国内市场占有率第一，新能源领域位居行业前列，车规级SiC器件具备天然客户优势。

晶盛机电 （SiC设备+衬底双轮驱动）

核心定位：国内半导体设备龙头，6-8英寸SiC衬底已规模量产并获主流客户批量订单，12英寸SiC单晶生长技术突破，设备+材料一体化布局。

概念关联：主营半导体装备、半导体衬底材料、耗材及零部件的研发生产销售。碳化硅衬底业务实现6-8英寸规模化量产，核心参数达行业一流水平，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列。12英寸碳化硅单晶生长技术已突破，正建设中试产线并小规模送样。同时向行业提供碳化硅长晶设备。

晶升股份 （SiC长晶炉核心供应商）

核心定位：国内碳化硅长晶炉龙头，覆盖6-12英寸全尺寸，已向中国台湾地区批量交付，国内市场份额领先，是碳化硅产业链上游"卖铲人"。

概念关联：主营晶体生长设备的研发、生产和销售，产品覆盖8-12英寸半导体级单晶硅炉、PVT法碳化硅单晶炉（6-12英寸）、液相法碳化硅单晶炉。客户覆盖三安光电、比亚迪等主流碳化硅企业，是国内较早进入中国台湾地区市场的碳化硅长晶设备厂商。

综上，碳化硅产业链正经历从产能过剩到供不应求的剧烈反转，核心公司沿三个层次分布：

衬底（技术壁垒最高、价值量最大）：天岳先进是全球龙头，8英寸份额超51%，12英寸率先突破；天富能源控股的天科合达是国内市占率第一；三安光电是全产业链平台；露笑科技是6英寸量产新锐。

器件/代工（规模放量关键）：士兰微6英寸满产+8英寸2026下半年投产，IDM模式最完整；芯联集成8英寸SiC MOSFET已量产；时代电气8英寸SiC线已通线，车规认证厚。

设备（国产化最后一关）：晶盛机电设备+衬底双轮驱动，12英寸突破；晶升股份是SiC长晶炉龙头，国内份额领先。

行业风险在于：碳化硅衬底价格仍处于结构性反弹阶段，国内产能扩张速度可能快于需求增长，2027年后供需可能再度转松。8英寸从研发到大规模量产的良率爬坡仍有不确定性。

⚠️免责声明：本文基于公开信息分析整理，不构成任何投资建议，仅提供研讨学习。投资交易需建立在审慎分析基础之上，投资有风险，交易需谨慎。