半导体光刻胶

一、核心分类总表

光刻胶品类 波长 适配晶圆 适用芯片制程 国产化率 国内核心厂商
G线 436nm 6寸 ≥350nm成熟工艺、分立器件 ≈100% 晶瑞电材、容大感光、上海新阳
I线 365nm 6/8寸 180–350nm模拟、功率、封测 ≈100% 彤程新材、晶瑞电材、容大感光
KrF 248nm 8寸 90–180nm车规、存储、特色工艺 ~40% 北京科华、彤程新材
ArF（干/浸没） 193nm 12寸 7–65nm先进逻辑、AI算力、存储 <10% 南大光电（唯一浸没量产）
EUV 13.5nm 12寸 3–7nm极限先进制程 0（实验室阶段） 无商业化量产企业

二、关键投研要点

1. 壁垒梯度（波长越短壁垒越高）

G线＜I线＜KrF＜ArF＜EUV

- 长短波长核心差异：曝光分辨率、光敏化学配方、配套光刻设备、高纯原材料门槛逐级抬升。

2. 国产替代逻辑分层

1. 完全自主赛道（G/I线）
成熟晶圆厂全面国产替代，订单稳定，业绩确定性最强，对应你提到“国产能达到100%”。
2. 中期替代赛道（KrF）
8寸车规芯片扩产带动需求，国产厂商批量导入，未来3年替代空间大。
3. 长期攻坚赛道（ArF）
12寸先进产线刚需，国内仅少数企业突破，弹性最大、兑现周期偏长。
4. 远期研发赛道（EUV）
设备与胶材双重卡脖子，短期无产业化预期，仅题材催化。

3. 晶圆尺寸对应需求

- 6寸：仅G线，低端功率器件，市场体量小；
- 8寸：I线+KrF，车规、功率芯片产能持续扩张，中长期需求景气；
- 12寸：ArF为主、EUV为辅，AI、先进逻辑芯片核心耗材，行业空间最大。

三、一句话投资速记

成熟G/I线业绩稳，KrF替代有增量，ArF弹性空间大，EUV仅看题材催化。