长光华芯副总经理吴真林在CFCF2026（苏州龙之梦，6月26日）演讲主题为《光互联架构演进下的光芯片需求重构与国产破局》，官方未公布逐字稿，以下是根据现场记录整理的核心发言要点：

一、行业判断——"产能为王"时代

• AI算力爆发致全球磷化铟（InP）高速EML芯片严重紧缺，海外大厂交期排至2027年后，芯片产能直接决定供货价格和供应链格局。

• 未来2~3年1.6T光模块是绝对主力；3.2T/CPO是长期方向，短期受光芯片供给制约落地放缓，NPO优先商用。

• 国内高端高速光芯片国产化率<10%，下游模块厂主动培育本土供应商，国产替代窗口期明确。

二、InP高速光芯片进展

• 100G EML：已稳定大批量供货中际旭创、新易盛、光迅科技；向谷歌、亚马逊送样验证，切入海外云厂商供应链。

• 200G-PAM4 EML（1.6T核心）：国内首款自研，完成头部模块厂验证，2026年Q3正式量产，有望缓解全球1.6T芯片紧缺瓶颈。

• 400G EML：规划2026~2027年推出，匹配3.2T及CPO需求。

• CW光源：70mW已大批量出货（硅光方案）；200mW高功率CW激光器2026年落地；后续规划500mW+适配CPO。

• 200G PD（探测器）：已完成研发，配合200G EML整套出货。

三、产能与IDM规划

• 采用IDM全自主产线（外延→晶圆→芯片→封装），持续扩充8英寸InP产线、2027年初光通信芯片月产能目标1000万颗+，全年1.2亿颗级。

四、多技术路线布局

• 硅光：与亨通光电合资"星钥光子"，投建国内首条8英寸90nm硅光晶圆产线，2026年底通线，2027年投产，可提供硅光代工+InP光源整套方案。

• 薄膜铌酸锂(TFLN)光源方案：已布局配套。

• VCSEL全系列：完善短距AI算力互联产品。

五、总结

全球高速光芯片紧缺持续2~3年；200G EML于2026年Q3量产是最大节点性利好，打开1.6T产业链供给天花板；公司通过InP芯片+硅光代工双布局，卡位可插拔/NPO/CPO三条路线。

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