#存储三巨头被告了#6月25日，三星、SK海力士、美光三大存储巨头在美国加州联邦法院遭遇消费者集体诉讼，被指控联手操控DRAM内存价格，引发市场热议的“内存涨价荒”。

本次诉讼由原告约翰·特里诺发起，代表近年购入搭载传统DRAM产品的个人消费者与企业维权。诉状指出，三家企业手握全球DRAM市场绝对主导权，借行业向HBM高带宽内存迭代的契机，刻意缩减DDR3、DDR4等主流传统内存的产能，人为制造市场供货紧张的局面，以此抬高产品价格。

此次价格垄断争议的核心根源，在于HBM产能对传统DRAM产能的大幅挤占。从硬件规格来看，HBM内存芯片体积远超常规DDR芯片，单颗HBM3E芯片的晶圆占用面积，达到普通DDR芯片的两倍，也就意味着生产一颗高端HBM芯片，会消耗双倍的晶圆产能资源。

从行业数据来看，产能挤压的效应已经十分明显：2026年，HBM产能将占据全球DRAM晶圆总产能的25%，且市场对HBM的需求每年以70%的高速持续攀升。虽然行业整体产能并未停滞，2026年全球DRAM晶圆总产能预计提升14%，但留给消费级传统DRAM的产能增速仅有10%。

二者形成的产能增速剪刀差，直接造成了民用、商用传统内存的供货缺口。诉讼方据此认定，三大存储巨头具备同步扩充传统DRAM产能、填补市场缺口的能力，却主动倾斜产能资源、扎堆投产利润空间更高的HBM产品，通过协同缩减传统内存产能的方式，变相达成价格垄断、收割市场利润的目的。