长鑫存储六大上游材料

长鑫作为国内唯一DRAM量产企业，产能持续扩张叠加DDR5、HBM升级，六大上游耗材用量稳步提升，整体化学品采购占比最高，国产替代空间最大。

1、核心前驱体+电子化学品（采购占比最高）

主要用于薄膜沉积、ALD工艺，是HBM高端存储刚需耗材，复购属性强。
核心标的：雅克科技（长鑫前驱体第一大国产供应商）、安集科技（CMP抛光液）、鼎龙股份（CMP抛光垫）。

2、光刻胶及配套材料

DRAM图形刻蚀关键材料，长鑫17nm、19nm制程主要使用KrF光刻胶，配套抗反射层、显影液。
核心标的：彤程新材、恒坤新材、晶瑞电材、南大光电。

3、硅片原材料

晶圆制造基础基材，以12英寸抛光片、外延片为主，目前进口依存度依旧偏高，国产份额持续提升。
核心标的：沪硅产业、立昂微。

4、电子特气

被称作芯片制造的“血液”，用于刻蚀、掺杂、清洗全流程，存储专用含氟特气壁垒最高。
核心标的：中船特气、华特气体、广钢气体、南大光电。

5、金属靶材

用于芯片金属布线、薄膜溅射，HBM多层堆叠会直接拉动铜靶、钴靶、钽靶需求。
核心标的：有研新材、江丰电子。

6、湿电子化学品

包含高纯酸碱、显影液、剥离液，贯穿晶圆前道清洗工序，用量大、订单稳定。
核心标的：晶瑞电材、格林达、江化微、兴发集团、兴福电子。

整体逻辑

存储周期回暖+长鑫扩产+国产导入提速，化学品、特气、光刻胶增量弹性最强；硅片、靶材属于中长期替代主线，跟随产能稳步放量。