全球存储疯狂的扩产计划数据

一、全球主要存储厂商扩产计划汇总（全折算）

🇰🇷 三星电子 (Samsung)

· 韩国本土：未来10年本土投资 2,655万亿韩元（约1.83万亿美元），其中 2,030万亿韩元（约1.40万亿美元） 投入龙仁和平泽集群。平泽P5晶圆厂目标2028年投产；P5 Fab2计划2029年投产，月产能20万至30万片；光州计划建设4至5座前道晶圆厂。
· 2025年资本开支：52.7万亿韩元（约363亿美元），其中DS部门 47.5万亿韩元（约328亿美元）。
· 中国西安：2025年追加投资 4,654亿韩元（约3.2亿美元），将NAND产线从128层升级至236层，并计划2026年实现280层量产。
· HBM：计划2026年末将HBM月产能提升至25万片晶圆（目前约17万片，增幅约47%）。

🇰🇷 SK 海力士 (SK Hynix)

· 韩国本土：总扩产计划约 1,100万亿韩元（约7,590亿美元）——龙仁约 600万亿韩元（约4,140亿美元） 扩DRAM（完工时间提前12年），清州约 100万亿韩元（约690亿美元） 扩NAND。与三星在西南地区各建2座晶圆厂，合计投资 800万亿韩元（约5,520亿美元）。
· 中国：无锡DRAM厂2025年投资 5,811亿韩元（约4.0亿美元），从1Z升级至1A；大连NAND厂投资 4,406亿韩元（约3.0亿美元），推进321层第九代NAND。
· 产能目标：五年内晶圆产能翻倍、2034年扩至三倍；2026年标准型DRAM供应量预计比2025年增加超过一成。

🇺🇸 美光 (Micron)

· 美国本土：爱达荷州第一座工厂预计2027年中投产；纽约厂2026年初动工，2030年前后投产。
· 海外：新加坡70亿美元HBM先进封装厂已动工。
· 资本开支：2025财年约140亿美元；2026财年上调至约200亿美元；预计2027年资本支出高于2026年。
· 产能预期：扩产完成后，仅能满足"核心客户"一半至三分之二的需求。

💾 闪迪 (SanDisk)

· 外包合作：与力积电合作利用台湾铜锣新厂生产NAND，最快2026年上半年启动。
· 在美建厂：曾考虑500亿美元密歇根州建厂计划，已被放弃。CEO明确表示拒绝盲目扩产。

🇨🇳 长鑫存储 (CXMT)

· 产能目标：DRAM月产能从当前约30万片翻倍至60万片；预测2027年达42万片，2028年底达50万片。
· 工厂建设：合肥两座、北京一座；上海新厂预计2027年投入量产。
· 资本动作：启动43亿美元科创板IPO；2026年Q2启动设备招标，预算50亿至60亿美元。

🇨🇳 长江存储 (YMTC)

· 产量飞跃：年产量从2024年129万片增至2025年177万片，预计2026年接近200万片。
· 三期工厂：武汉三期预计2026年下半年投产；与湖北长晟共同出资207.2亿元人民币（约29亿美元） 成立"长存三期"公司。
· 市场份额：2025年Q4全球NAND份额11%（第六）；目标2026年占据全球超过10%，出货量有望跻身全球第三。294层3D TLC NAND已量产。

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二、本轮存储周期何时到顶？

主流机构判断不变：供不应求至少持续至2026年底，2027年高位震荡，2028年需警惕周期反转风险。

核心逻辑：

1. 超级周期仍处早期：中信证券判断当前仍处超级景气前段，2025年Q4已全面进入"卖方市场"，合约价滞后于现货价，追赶空间仍大。
2. AI需求是核心变量：由AI数据中心对HBM、企业级SSD需求驱动。HBM TAM预计以约40%复合年增长率扩张，从2025年350亿增至2028年1,000亿美元。三大原厂2026年HBM产能已全部售罄。
3. 2026年是关键验证点：需验证AI需求能否打破近30年的"4年一周期"规律，景气至少持续至2026年底。
4. 分歧在2027年：乐观派认为AI结构性变化拉长周期至2028年；谨慎派警告，随着上述天量产能（尤其三星、SK海力士、长存）在2027下半年至2028年集中释放，若AI资本开支增速放缓，供需可能在2028年逆转。综合来看，2027年H2或是景气度最微妙的转折窗口。