研究团队采用单次极紫外光刻（EUV）曝光，实现最短 28nm 沟道长度。imec 表示，晶圆上有 94% 的集成晶体管能够正常开关，开关电流比（On / Off Ratio）超过 10 万。其中，n 型晶体管采用二硫化钼（MoS₂）作为沟道材料，p 型晶体管则采用二硒化钨（WSe₂）或二硫化钨（WS₂）。这些材料厚度仅为原子级别，使栅极对沟道的控制力远强于数纳米厚的硅纳米片，在栅极长度持续缩小的过程中，有望在更低电压下完成开关动作。
二维过渡金属二硫属化合物（TMD）已研究多年，imec 自 2010 年代后期便开始制造基于 MoS₂ 的实验性晶体管。本次成果的突破并非来自新材料，而是在标准 300mm 晶圆制造流程中，同时完成 n 型与 p 型二维晶体管集成，而不是像以往那样仅制造单一器件或采用较宽松的光刻间距。
研究人员介绍，此次演示的二维晶体管最小有源宽度达到 75nm，等效氧化层厚度接近 2nm，两种极性的器件均可在栅极电压为零时完全关闭。其中，WSe₂ p 型晶体管性能已接近目前实验室最佳水平，进一步缩小了二维 CMOS 中长期存在的 p 型器件性能差距。#曝流量小花拒搭档W姓男星#