【HBM3E量产倒计时！长鑫追上国际一线：技术差距缩至2到3年】长鑫存储HBM3样件已送华为等国内AI芯片厂商验证，计划2027年实现12层HBM3E量产，届时和海外三大头部存储厂商的技术差距将缩至2到3年，目前长鑫DRAM全球市占率已升至7.7%排全球第四。
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【HBM3E量产倒计时！长鑫追上国际一线：技术差距缩至2到3年】长鑫存储HBM3样件已送华为等国内AI芯片厂商验证，计划2027年实现12层HBM3E量产，届时和海外三大头部存储厂商的技术差距将缩至2到3年，目前长鑫DRAM全球市占率已升至7.7%排全球第四。