【#绍芯实验室团队新成果登上Science#】#存储芯片在浙江有了新突破# 近日，浙江绍芯实验室与复旦大学团队在《科学》主刊发表重磅成果，实现室温单电子非易失性量子存储，将存储功耗几何级降低。这一“单个电子表示一个信息比特”的物理极限突破，标志着中国存储芯片技术迈出原创性一步。绍芯实验室，好样的！ @越城发布 @绍虞城事通网 #越都宋韵烟火古城# http://t.cn/AX9wl7nU
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【#绍芯实验室团队新成果登上Science#】#存储芯片在浙江有了新突破# 近日，浙江绍芯实验室与复旦大学团队在《科学》主刊发表重磅成果，实现室温单电子非易失性量子存储，将存储功耗几何级降低。这一“单个电子表示一个信息比特”的物理极限突破，标志着中国存储芯片技术迈出原创性一步。绍芯实验室，好样的！ @越城发布 @绍虞城事通网 #越都宋韵烟火古城# http://t.cn/AX9wl7nU