SK海力士的大连Fab是以前英特尔NAND Fab，
制造的NAND器件与海力士清州NAND完全不同。

现在三星、SK海力士、铠侠、镁光全都转向CTF（Charge Trap Flash）结构的3D NAND结构，只有英特尔固执地坚持FG（Floating Gate）结构。

FG结构由于隧道氧化层较厚，且物理上单元是分开的，因此数据存储更稳定。所以Solidigm能够率先在数据中心市场推出单个单元存储4比特的QLC结构eSSD，从而获利。

CFG是将ON与FG交替堆叠，但Poly Etch比ON更难。而且氧化层也必须较厚，因此在堆叠更多层数时不利。

如果想做也不是做不到，但大连Fab连尖端设备都无法引进，器件开发也由研究所单独进行，因此扩展性有困难。

*大连Fab那边似乎在自行开发。现在行业景气好算是幸运，但无论是无锡还是大连Fab，都在技术转换上存在局限，不知能用到什么时候。