2026年全球存储资本开支约800多亿美元，绝对值很高- 资金流向彻底改变：约60%到70%流向HBM，10%到15%流向大宗DRAM，10%到15%流向大宗NAND，其余投向混合键合、更高堆叠层数等工艺升级
2026年HBM消耗了全球约23%的DRAM晶圆，但产出的有效DRAM比特增加非常有限-
闪迪投资者日明确战略：以盈利为优先，不单纯追求市占率
就算资本开支增长，短期内也不会复刻历史上“疯狂扩产带来周期反转”的剧本——短期内（1到2年）看不到新增产能大量释放，3到5年内看不到AI需求放缓