芯片/半导体
（1）8月21日消息，受三星、SK 海力士扩产拉动，韩国主要半导体设备商上半年末订单积压量较去年底实现翻番。
（2）8月23日消息，半导体研究机构SemiAnalysis近日发文，NAND制造正从钨转向钼(Mo)，3D NAND当层数超过~300层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈，钼能降低电阻，能更好地填充高纵横比的结构单元。
发布于 安徽
麒麟神侯
芯片/半导体
（1）8月21日消息，受三星、SK 海力士扩产拉动，韩国主要半导体设备商上半年末订单积压量较去年底实现翻番。
（2）8月23日消息，半导体研究机构SemiAnalysis近日发文，NAND制造正从钨转向钼(Mo)，3D NAND当层数超过~300层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈，钼能降低电阻，能更好地填充高纵横比的结构单元。